Muundo wa Mashine ya Kuchomeka Plasma

Vifaa vya ICP hasa vina sehemu nne: kabla-chumba cha utupu, chemba ya etching, mfumo wa usambazaji wa gesi na mfumo wa utupu.

(1) Kabla{1}}chumba cha utupu

Jukumu la-chumba cha utupu ni kuhakikisha kuwa chemba ya etching inadumishwa katika kiwango kilichowekwa cha utupu, haiathiriwi na mazingira ya nje (kama vile vumbi, mvuke wa maji), na hutenga gesi hatari kutoka kwa chumba safi. Inajumuisha kifuniko, manipulator, utaratibu wa maambukizi, mlango wa kutengwa, nk.

(2) Chumba cha kupachika

Chumba etching ni muundo msingi wa ICP etching vifaa. Ina athari ya moja kwa moja kwenye kiwango cha etching, wima wa etching, na ukali. Sehemu kuu za chumba cha etching ni: electrode ya juu, kitengo cha mzunguko wa redio ya ICP, kitengo cha mzunguko wa redio ya RF, mfumo wa chini wa electrode, mfumo wa kudhibiti joto, nk.

(3) Mfumo wa usambazaji wa gesi

Mfumo wa usambazaji wa gesi ni kutoa gesi mbalimbali za etching kwenye chumba cha etching, na kudhibiti kwa usahihi kiwango cha mtiririko wa gesi na mtiririko kupitia kidhibiti cha shinikizo (PC) na kidhibiti cha mtiririko wa wingi (MFC). Mfumo wa usambazaji wa gesi una chupa ya chanzo cha gesi, bomba la utoaji wa gesi, mfumo wa kudhibiti, kitengo cha kuchanganya, nk.

(4) Mfumo wa Utupu
Kuna mifumo miwili ya utupu, mmoja kwa-chumba cha utupu na mwingine kwa chemba ya etching. Kabla-chumba cha utupu huhamishwa na pampu ya mitambo. Wakati tu kiwango cha utupu katika chumba cha kabla-kinapofikia thamani iliyowekwa ndipo mlango wa kutengwa utafunguliwa ili kuhamisha kaki. Utupu katika chumba cha etching hutolewa na pampu ya mitambo na pampu ya Masi. Gesi zinazozalishwa na mmenyuko katika chumba cha etching pia hutolewa na mfumo wa utupu.