Matumizi Mahususi ya Visafishaji vya Plasma

Mashine za kusafisha plazma/etching huzalisha plasma kwa kuweka elektrodi mbili kwenye chombo kilichofungwa ili kuunda uwanja wa umeme. Pampu ya utupu hutumiwa kudumisha kiwango fulani cha utupu. Kadiri gesi inavyozidi kuwa nadra, umbali kati ya molekuli na mwendo wa bure wa molekuli au ioni pia huongezeka. Chini ya ushawishi wa uwanja wa umeme, ioni hizi hugongana na kuunda plasma. Ioni hizi zina nguvu sana, na nishati ya kutosha kuvunja karibu vifungo vyote vya kemikali, na kusababisha athari za kemikali kwenye uso wowote ulio wazi. Plasma ya gesi tofauti ina mali tofauti za kemikali. Kwa mfano, plasma ya oksijeni ina oksidi nyingi, yenye uwezo wa kuongeza oxidist photoresist kuzalisha gesi, hivyo kufikia athari ya kusafisha. Plasma ya gesi babuzi ina anisotropy bora, ambayo inakidhi mahitaji ya etching. Matibabu ya plasma hutoa mwanga, kwa hiyo jina la kutokwa kwa mwanga.
Utaratibu wa kusafisha plasma unategemea hasa "uanzishaji" wa chembe hai katika plasma ili kuondoa madoa ya uso. Kwa upande wa utaratibu wa mmenyuko, kusafisha plasma kwa ujumla kunahusisha mchakato ufuatao: gesi za isokaboni husisimua katika hali ya plasma; vitu vya gesi hupigwa kwenye uso imara; makundi ya adsorbed huguswa na molekuli kwenye uso imara ili kuunda molekuli za bidhaa; molekuli za bidhaa hutengana katika awamu ya gesi; na mabaki ya majibu huondolewa kwenye uso.

Kipengele muhimu zaidi cha teknolojia ya kusafisha plasma ni kwamba inaweza kutibu aina yoyote ya substrate, ikiwa ni pamoja na metali, semiconductors, oksidi, na nyenzo nyingi za polima kama vile polypropen, polyester, polyimide, polyvinyl chloride, epoxy, na hata polytetrafluoroethilini. Inaweza kusafisha uso wote na maeneo maalum, pamoja na miundo tata.